Именует узлы травления по-другому, чтобы в большей степени учитывать плотность транзисторов.
Ни для кого, кто внимательно или отдаленно следит за новостями полупроводниковой отрасли, не секрет, что хотя Intel остается гигантом в этом секторе, она также испытывает большие трудности с некоторыми техническими процессами. Вот уже несколько лет она, кажется, испытывает все трудности в мире, чтобы заставить свой процесс гравировки компонентов развиваться в направлении 10 нм и 7 нм, в то время как один из ее главных конкурентов - тайваньская TSMC - уже намеревается перейти к 5 нм или даже к 4 нм и 3 нм.
На самом деле, в то время как AMD - партнер TSMC - смогла выпустить на рынок свою новую серию Ryzen 5000, используя 7-нм техпроцесс, Intel только что распространила свою новую линейку Rocket Lake-S, используя 14-нм техпроцесс: с точки зрения строгого маркетинга это не очень удачный ход. Поэтому Intel планирует пересмотреть подход к наименованию процесса травления и больше не отражать только тонкость травления, но и учитывать плотность транзисторов на квадратный миллиметр. Это, конечно, маркетинговый маневр, но не единственный.
Следует отметить, что не все процессы травления одинаковы. В этой области не существует "стандарта" для обозначения того или иного процесса, его тонкости и качества. Например, Intel подчеркивает, что ее 10 нм техпроцесс намного эффективнее 7 нм техпроцесса TSMC: 10 нм позволяет американцам достичь плотности транзисторов 100,8 млн. транзисторов на квадратный миллиметр (MT/mm²), в то время как тайваньцы вынуждены довольствоваться 90 MT/mm² на своем 7 нм техпроцессе. Как сообщает Oregon Live, в связи с этим в Intel набирает силу идея пересмотреть всю номенклатуру и выступить за что-то более универсальное.
