Depuis peu, Samsung est le premier fabricant de semi-conducteurs au monde, prenant cette place à Intel, leader historique. Samsung n’entend pas se reposer sur ses lauriers et les mois qui viennent s’annoncent particulièrement chargés pour le Sud-coréen qui vient d’annoncer la validation de son processus de gravure de composants, le 8LPP. Il vient renouveler le 10 nm utilisé depuis quelque temps et permet d’affiner encore un peu plus les choses.
Au travers d’un communiqué de presse en bonne et due forme, Samsung vient de poser un nouveau jalon dans la course à la miniaturisation que se livrent les géants du semi-conducteur. La technologie FinFET de Samsung vient effectivement de franchir un nouveau cap puisque le Sud-coréen vient de valider le 8 Low Power Plus ou 8LPP comme on dit dans le milieu. Dans les faits, il ne s’agit pas de révolutionner le processus précédemment employé par Samsung, le 10LPP, mais plutôt d’optimisations. Ainsi, l’idée est de réduire la surface occupé par les puces à complexité égale d’environ 10%. Logiquement, cela permettra des économies d’échelle puisque plus de puces pourront être gravées sur une même galette de silicium.
Ce raffinement du processus de gravure est aussi l’occasion d’améliorer la consommation avec, là encore, une réduction estimée à plus ou moins 10%. Rappelons toutefois que ce 8LPP n’était pas l’objectif initial de Samsung qui l’a finalement intégré à son ordre de marché pour temporiser un peu alors que le processus 7 nm se montre plus complexe que prévu à maîtriser. C’est d’ailleurs là que tout se joue puisque l’un des principaux concurrents de Samsung, TSMC, envisage lui de passer au 7 nm dès l’année prochaine. Pour devancer Samsung, TSMC a décidé d’employer des machines en DUP (pour Deep Ultra Violet) là où Samsung envisage plutôt l’utilisation d’EUV (pour Extreme Ultra Violet).
L’avenir nous dira très bientôt lequel des deux constructeurs l’emportera dans cette folle course vers l’infiniment petit.
