Le Sud-coréen confirme son intention de produire une nouvelle génération de transistors dès 2022, grâce à la gravure 3 nm.
En mai dernier, Samsung annonçait la mise au point d’une nouvelle génération de transistor baptisée MBCFET (pour Multi-Bridge-Channel FET) qui doit permettre d’améliorer sensiblement les performances. Au moment de l’annonce, Samsung indiquait que son objectif était ainsi de dégager 50% de performances par rapport à l’actuelle technologie FinFet dont la gravure est bloquée au 7 nm. Mieux, les transistors Samsung seraient également capables de consommer nettement moins d’énergie : le Sud-coréen évoque une consommation réduite de 50% alors même que la taille des puces devrait être réduite de 45%.
Usine Samsung de Hwaseong, en Corée du Sud
Il y a quelques jours, Samsung a confirmé ses intentions en évoquant cette fois un calendrier un peu plus précis. Le géant de l’électronique envisage effectivement de produire ses premiers transistors MBCFET en gravure 3 nm à l’horizon 2022. Le Sud-coréen n’est toutefois pas seul sur ce créneau dans la mesure où le concurrent taïwanais TSMC envisage la construction d’une usine dédiée à la gravure 3 nm en 2022. Il n’aurait alors pas beaucoup de retard sur Samsung et pourrait commencer la production à partir de l’année suivante, 2023 donc.
Aussi importante soit elle, cette nouvelle des transistors MBCFET en 3 nm ne constitue pas la seule actualité chez Samsung. En février dernier, nous évoquions le lancement de la production de masse sur sa première ligne 7 nm EUV. La ligne en question est située dans son usine de Hwaseong, en Corée du Sud et exploite la technologie de lithographie par ultraviolet extrême. Inaugurée en février 2018, cette ligne a d’abord été utilisée sur des plaquettes d’essai et devrait livrer ses premiers clients très prochainement : un moyen de rentabiliser un investissement colossal pour Samsung, évalué à environ 6 milliards de dollars d’ici la fin de l’année civile.
