Nombrando sus nodos de grabado de forma diferente para tener más en cuenta la densidad de los transistores.
No es un secreto para cualquiera que siga de cerca o remotamente las noticias sobre semiconductores que, aunque Intel sigue siendo un gigante del sector, también tiene grandes dificultades con ciertos procesos técnicos. Desde hace varios años, parece tener todas las dificultades del mundo para hacer evolucionar su proceso de grabado de componentes hacia los 10 nm y los 7 nm mientras que uno de sus principales competidores -el taiwanés TSMC- ya evoca el paso a los 5 nm o incluso a los 4 nm y 3 nm.
De hecho, mientras que AMD -socio de TSMC- ha podido comercializar su nueva serie Ryzen 5000 utilizando el proceso de 7nm, Intel acaba de distribuir su nueva gama Rocket Lake-S utilizando un proceso de 14nm: desde un punto de vista estrictamente de marketing, no es un movimiento muy bueno. Por lo tanto, Intel tiene previsto replantearse la forma de denominar su proceso de grabado y dejar de reflejar únicamente la finura del grabado, para tener en cuenta también la densidad de transistores por milímetro cuadrado. Se trata sin duda de una maniobra de marketing, pero no la única.
Hay que tener en cuenta que no todos los procesos de grabado son iguales. No existe una "norma" en este campo para referirse a tal o cual proceso, su delicadeza y su calidad. Por ejemplo, Intel destaca que su proceso de 10 nm es mucho más eficiente que el de 7 nm de TSMC: 10 nm permite a la estadounidense alcanzar una densidad de transistores de 100,8 millones de transistores por milímetro cuadrado (MT/mm²), mientras que la taiwanesa debe conformarse con 90 MT/mm² en su proceso de 7 nm. Por ello, según Oregon Live, está ganando terreno la idea de que Intel revise toda su nomenclatura y abogue por algo más universal.
