Nommer différemment ses nœuds de gravure pour davantage tenir compte de la densité de transistors.
Ce n’est un secret pour personne qui suit de près ou de loin l’actualité des semi-conducteurs, si Intel reste un géant du secteur il est aussi en grande difficulté sur certains procédés techniques. Depuis plusieurs années maintenant, il semble avoir toutes les peines du monde à faire évoluer son procédé de gravure de composants vers les 10 nm et 7 nm alors que l’un de ses principaux concurrents – le Taïwanais TSMC – évoque déjà le passage au 5 nm voire aux 4 nm et 3 nm.
De fait, alors qu’AMD – partenaire de TSMC – a été en mesure de commercialiser ses nouveaux Ryzen série 5000 selon le procédé 7 nm, Intel vient de distribuer sa nouvelle gamme Rocket Lake-S avec un procédé 14 nm : d’un strict point de vue marketing, ce n’est pas très vendeur. Intel envisage donc de repenser sa façon de nommer son procédé de gravure et de ne plus refléter la seule finesse de gravure pour également tenir compte de la densité de transistors au millimètre carré. Il s’agit certes d’une manœuvre marketing, mais pas seulement.
Il faut effectivement savoir que tous les procédés de gravure ne se valent pas. Il n’existe pas dans ce domaine de « standard » pour évoquer tel ou tel procédé, sa finesse et sa qualité. Ainsi, Intel souligne que son 10 nm est bien plus efficace que le 7 nm de TSMC : le 10 nm permet à l’Américain d’atteindre une densité de transistors de 100,8 millions de transistors par millimètre carré (MT/mm²) quand le Taïwanais doit se contenter de 90 MT/mm² sur son 7 nm. À en croire Oregon Live, l’idée fait donc son chemin chez Intel de revoir l’intégralité de sa nomenclature et de plaider pour quelque chose de plus universel.
